深圳納加霍里科技專業(yè)代理銷售日本Nikkato/日淘工程業(yè)務(wù)半導(dǎo)體制造的熱電偶 產(chǎn)品特點(diǎn)如下：

日本Nikkato/日淘工程業(yè)務(wù)半導(dǎo)體制造的熱電偶 日本Nikkato（日淘工程）是工業(yè)加熱設(shè)備和高溫材料領(lǐng)域的出這些是半導(dǎo)體制造中使用的各種熱電偶。

可以設(shè)計(jì)各種形狀和尖峰形狀的熱電偶，還提供各種石英保護(hù)管、氧化鋁保護(hù)管、陶瓷涂層線材、線徑等。名廠商，其熱電偶產(chǎn)品在半導(dǎo)體制造、陶瓷燒結(jié)、冶金等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。

 熱電偶類型

Nikkato的熱電偶主要分為以下幾類，符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)（IEC）：

1.K型熱電偶（鎳鉻-鎳硅）

溫度范圍：-200°C ~ +1300°C

特點(diǎn)：性價(jià)比高，抗氧化性強(qiáng)，適用于半導(dǎo)體設(shè)備的低溫至中高溫段（如CVD、擴(kuò)散爐）。

半導(dǎo)體應(yīng)用：晶圓熱處理、管式爐溫度監(jiān)控。

2.R/S型熱電偶（鉑銠-鉑）

溫度范圍：0°C ~ 1600°C（R型）、0°C ~ 1700°C（S型）

特點(diǎn)：高精度、穩(wěn)定性好，但成本高，適用于超高溫環(huán)境。

半導(dǎo)體應(yīng)用：?jiǎn)尉Ч枭L(zhǎng)爐（CZ法）、外延沉積反應(yīng)器。

3.B型熱電偶（鉑銠30-鉑銠6）

溫度范圍：+600°C ~ +1800°C

特點(diǎn)：耐高溫性能好，抗污染能力強(qiáng)，適合長(zhǎng)期高溫操作。

半導(dǎo)體應(yīng)用：高溫氧化爐、退火工藝。

4.C型熱電偶（鎢錸5%-鎢錸26%）

溫度范圍：0°C ~ 2300°C（惰性/還原氣氛）

特點(diǎn)：超高溫測(cè)量，但易氧化，需保護(hù)套管。

半導(dǎo)體應(yīng)用：MOCVD反應(yīng)器、碳化硅（SiC）晶體生長(zhǎng)。

Nikkato熱電偶的特殊設(shè)計(jì)

1.保護(hù)套管材質(zhì)

氧化鋁（Al?O?）：耐高溫至1800°C，適用于氧化性氣氛。

莫來(lái)石（Mullite）：抗熱震性好，用于快速升降溫工藝。

碳化硅（SiC）：導(dǎo)熱性優(yōu)異，適合半導(dǎo)體高溫工藝。

2.結(jié)構(gòu)形式

裸絲型：響應(yīng)快，用于高精度控溫（如快速退火）。

鎧裝型：金屬護(hù)套（如Inconel），抗機(jī)械沖擊，適合嚴(yán)苛環(huán)境。

陶瓷封裝型：絕緣性好，防止電信號(hào)干擾（如PECVD設(shè)備）。

半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵應(yīng)用

3.晶圓加工

擴(kuò)散爐：K型或R型熱電偶監(jiān)控?fù)诫s工藝溫度（800°C~1200°C）。

蝕刻設(shè)備：鎧裝K型熱電偶耐腐蝕氣體（如Cl?、CF?）。

4.薄膜沉積

CVD/PVD：B型或C型熱電偶確保反應(yīng)室高溫均勻性。

ALD：高精度K型熱電偶控制低溫沉積（200°C~400°C）。

5.封裝與測(cè)試

回流焊：短時(shí)高溫測(cè)量（S型熱電偶）。

優(yōu)勢(shì)總結(jié)

Nikkato熱電偶以高可靠性、長(zhǎng)壽命和定制化服務(wù)（如特殊長(zhǎng)度/接頭設(shè)計(jì)）著稱，適合半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)工藝穩(wěn)定性的嚴(yán)苛要求。

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